一、聚集再结晶
烧结最后阶段出现增长的结晶大颗粒,决定颗粒增长的力是边界歪曲而过剩的表面能。材料颗粒烧结时占据的地方,为系统中紧密堆积的小圆穴里。观察烧结材料磨片,看见沿小圆穴的体积分布,在平面上作出3个颗粒之间的点。3个颗粒边界之间的角力求 120°。如果3 个颗粒每个为点接触,将有120°角,那么颗粒本身将是六面体。
真实的颗粒通常有各种边数,它歪曲的边界及其数不等于6。如果由颗粒中心观看,凸形边界颗粒的边数少。如果由颗粒中心观看,大多数边数超过6 的颗粒边界将是凹形的,如图8-16 所示。边界向本身的弯曲中心移动,力求降低自由能。由于边数超过6的这样颗粒增多,而少于6边的颗粒减少。靠从小的增长出大颗粒,称为聚集再结晶。
确定边界移动速度,反比例于颗粒半径为dR/dτ=1/R,或者积分以后得出:R2-R20=Kτ,如果R?值忽略,于是:
式中,R 为长大的颗粒半径;R?为τ=0时的颗粒半径。系统中实际程度指标处在0.3~0.5 范围内。颗粒长大理论继续到3个孔,直到没有成为单晶体样式的时候。实际上不常发生这样的颗粒增长,局限于第二相。第二相(夹杂物,气孔,添加物)对再结晶的影响示意图如图8-17所示。
为了边界移动超过夹杂物,必须增加本身的表面,而这样对热力学不利。所以第二相阻止边界移动。甚至0.01%的杂质在某些程度上使再结晶速度降低。在边界上存在较大数量杂质时,颗粒获得它的某最大尺寸后,颗粒的曲形保证颗粒连续增长变成不足,最大尺寸用比率表示:
式中,d为夹杂物(第二相)尺寸;ρ为夹杂物的体积份额。其中的情况,有时第二相是气孔,颗粒增长滞留在烧结初,有时气孔很多,后来气孔率降低到某值时,通常在ρ=10%~15%时,颗粒开始蓬勃增长。假若气孔率自然限制颗粒增长,为了限制增长,常常专门引入高分散固体形式添加物的第二相。限制颗粒增长的另一因素是液相参与。因此系统中表明的情况是固体和液体之间的相分开,有两个表面。颗粒的不均匀增长引起二次再结晶。颗粒增长很快时,某些气孔可能被边界移动侵占,而这样的气孔进一步变为闭口的,可是封口非常困难。如果计算,内部气孔的封口速度等于晶体增长速度,例如镁尖晶石颗粒增长速度等于12~15μm/h时,实际没有实现长满闭口气孔。由此可见,烧结时要使气孔率降低,应该引入添加物——抑制剂,它阻滞颗粒增长,因而除颗粒夺取它外,还使气孔封口有了可能性。添加物——抑制剂的成分,它们的体积份额及颗粒尺寸,用试验方法确定。
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